三星电子推出新型芯片实现内存芯片晶圆级立

　　韩国三星电子日前宣布开发出一种容量为2GB的晶圆级“立体封装”内存芯片，这是业界首枚使用硅穿透工艺实现晶圆级堆叠封装的内存产品，实现了芯片电路的直接互联。

　　新产品由4片容量为512Mb的DDR2芯片堆叠连接，并封装成容量为2GB的内存颗粒。在生产过程中使用了硅贯通电极(TSV）以及晶圆级堆叠封装（WSP）工艺。新的工艺可大大缩小芯片产品的封装尺寸，使速度、功耗等指标明显提高。

　　三星电子在生产中使用激光器在内存芯片需要布置连接线的位置垂直打孔，获得穿透芯片基板的硅孔，之后采用金属铜通过硅孔连接上下层硅芯片。新产品克服了工程技术反面的许多挑战，其中包括晶圆的减薄和超薄晶圆加工、硅穿透、铜连接的可靠性等。同目前广泛采用的多芯片堆叠封装技术相比，新工艺摒弃了传统的引线连接，能够提供更薄和更小的封装尺寸及每条连接线更低的分布点容。

　　三星电子预测这一技术将在半导体产业引发一轮革命。不久前该公司高层在一次主题讲演中强调，晶圆级立体堆叠技术的进步将为半导体工业带来新的能力，使得不同IC器件和半导体材料的高密度集成成为可能，推动半导体融合时代的到来。

　　三星电子没有解释更多技术细节。虽然芯片立体封装的概念提出较早，但是其技术进展一直受到了成品率和成本等问题的困扰。多数技术方案在集成电路工艺结束之后才开始进行芯片之间的连接，另一种更有发展思路是在晶圆的前道和后道工艺之间进行堆叠，以追求效率。不过，同三星电子不同，目前的技术方案大多采用刻蚀技术获得硅孔。