东芝推出导通电阻仅为的V耐压贸易

东芝推出了导通电阻仅为18.5mΩ（栅源间电压为+10V时的最大值）的耐压为+60V的功率MOSFET“TK25S06N1L”。新产品为n沟道产品，采用外形尺寸为6.5mm×5.5mm×2. mm（不包括引脚）的DPAK+封装。该公司介绍称，“在同样的产品中，新产品实现了业界顶级的低导通电阻特性”。新产品还计划获得车用分立元件质量标准“AEC-Q101”认证。该产品主要用于车载设备的电机驱动电路、发动机控制单元（ECU）、LED前灯的驱动以及车载用DC-DC转换器等。

TK25S06N1L采用东芝独有的“U-MOSVIII-H”工艺技术制造，最大连续漏极电流为25A、最大脉冲漏极电流为50A，内置栅源间的齐纳二极管。该产品将开关噪声控制在较低水平，因此可以降低电磁噪声（EMI）。该产品可利用+4.5V的逻辑信号进行驱动，工作接合部温度最大为+175℃。价格尚未公布。（特约撰稿人：山下 胜己）